GD32E505 Flash 操作

GD32E505 Flash：

1. 设备唯一ID（UNIQUE ID ,96bit，只能按字32位访问），基地址：0x1FFF_F7E8

2. 闪存的前512K字节空间内，CPU执行指令需要0~4个等待时间。

3. 闪存页大小为8KB，支持32位字/16位半字编程，页擦除和整片擦除。

4. 2K字节 OTP块（一次性编程），用于存储用户数据。

5. 16字节的选项字节，根据用户需求配置，当系统复位时，选项字节被加载到选项字节控制寄存器。

6. GD32E505_CL闪存基地址和构成：

   闪存	名称	地址范围	大小
   主闪存	Page0	0x0800_0000~0x0800_1FFF	8KB
   主闪存	Page1	0x0800_2000~0x0800_3FFF	8KB
   主闪存	…..	…..	8KB
   主闪存	Page63	0x0807_E000~0x0807_FFFF	8KB
   信息块 CL	引导Bootloader	0x1FFF_B000~0x1FFF_F7FF	18KB
   选项字节	选项字节	0x1FFF_F800~0x1FFF_F80F	16B
   一次性编程	OTP	0x1FFF_7000~0x1FFF_77FF	2KB

7. 选项字节说明 : 每次系统复位后，选项字节被重载到FMC_OBSTAT和FMC_WP寄存器后，选项字节生效。选项字节的补字节具体为选项字节取反。当选项字被重载时，如果选项字节的补字节和选项字节补匹配，FMC_OBSTAT的OBERR位将被置1，选项字节被强制设置为0xFF。若选项字节和其补字节同为0xFF，则OBERR位补置位。

   地址	名称	说明
   0x1FFF_F800	SPC	选项字节安全保护值，0xA5未保护，除0xA5和0xCC外的任何值：保护级别低，0xCC：保护级别高
   0x1FFF_F801	SPC_N	SPC补字节
   0x1FFF_F802	USER	[7:6] : BOR_TH ，BOR复位阈值 [5:3] : 保留 [2] : nRST_STDBY，0：设置待机模式时产生复位而不是进入待机模式。1：设置待机模式时进入待机模式而不产生复位。 [1] : nRST_DPSLP，0：设置深度睡眠模式时产生复位而不进入深度睡眠模式。1：设置深度睡眠模式时进入深度睡眠模式而不产生复位。 [0] : nWDG_HW， 0：硬件是能独立看门狗功能。1：软件使能独立看门狗功能。
   0x1FFF_F803	USER_N	SPC补字节
   0x1FFF_F804	DATA[7:0]	用户定义数据7到0位
   0x1FFF_F805	DATA_N[7:0]	DATA补字节的7到0位
   0x1FFF_F806	DATA[15:8]	用户定义数据15到8位
   0x1FFF_F807	DATA_N[15:8]	DATA补字节的15到8位
   0x1FFF_F808	WP[7:0]	页擦除/编程保护值的7到0位 [0] : 保护生效 [1] : 未保护
   0x1FFF_F809	WP_N[7:0]	WP补字节的7到0位
   0x1FFF_F80A	WP[15:8]	页擦除/编程保护值的15到8位
   0x1FFF_F80B	WP_N[15:8]	WP补字节的15到8位
   0x1FFF_F80C	WP[23:16]	页擦除/编程保护值的23到16位
   0x1FFF_F80D	WP_N[23:16]	WP补字节的23到16位
   0x1FFF_F80E	WP[31:24]	页擦除/编程保护值的31到24位
   0x1FFF_F80F	WP_N[31:24]	WP补字节的31到24位

8. 安全防护：
   未保护状态：当将SPC字节和它的补字节设置为0x5AA5，系统复位后闪存将处于非安全保护状态，主存储器和选项字节可以被所有操作模式访问。
   保护等级低：当设置SPC字节为任何除0xA5或0xCC外的值，系统复位以后，低安全保护状态生效。需要注意的是，若修改过程中，MCU的调试模块依然和外部JTAG/SWD设备相连，需要用上电复位代替系统复位以使得修改后的保护状态生效。在低安全保护状态下，主存储闪存块仅能被用户代码访问且前8KB的闪存自动处于页擦除/编程保护状态下。在调试模式下，或从SRAM中启动时，以及从boot loader区启动时，这些模式下对主存储块的操作都被禁止。如果在这些模式下读主存储块，将产生总线错误。如果在这些模式下，对主存储块进行编程或擦除操作，FMC_STAT寄存器的WPERR位将被置1。但这些模式下都可以对选项字节进行操作，从而可以通过该方式失能安全保护功能。如果将SPC字节和它的补字节设置为0x5AA5，安全保护功能将失效，并自动触发一次整片擦除操作。
   保护等级高：当设置SPC字节为0xCC，激活高安全保护等级。当编程选择该保护等级时，调试模式，从SRAM中启动，或者从boot loader启动都被禁止。主存储闪存块可由用户代码的所有操作进行访问。SPC字节禁止再次编程。所以，如果高保护等级被激活，将不能再降回到低保护等级或无保护等级。

   空芯片默认该值为0xFF？所以无法烧写程序？？蛋疼的设计！！

例程分析

Examples/FMC中有三个例程；

1. Erase_Program: 提供了fmc_erase_pages和fmc_program的操作例程。
2. Security_protection: 设置Security和解unSecurity。
3. Write_Protection: 设置写保护，参考意义不大。

基于以上这三个例程，基本上对flash的操作就不是事了。